创见发布新款“USD230I”存储卡 引入SLC缓存加速技术

          创见近日发布新款“USD230I”存储卡，并引入SLC缓存加速技术，这款产品设置了一个对主控透明的内部逻辑单元，可以将一小部分3DTLC闪存模拟成SLC，从而提升短时间内的写入性能，尤其适合高速连拍、高清视频录制等。  

  得益于SLC缓存加速技术技术，创见标称这款存储卡的持续传输率最高可达100MB/s，随机访问性能则可达3400IOPS。  

          它还支持从-40℃到85℃的工业级温度范围。  

  容量方面提供8GB、16GB、32GB、64GB四种规格，而写入寿命分别高达36TB、70TB、70TB、140TB。  

  以其中的8GB容量为例，如果每天写满一次，可以连续用上12.6年之久。